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SK 海力士公布 3D FeNAND 研究成果，用它实现模拟存内计算（A-CiM），用铁电材料的极化状态存储数据并控制电流，可在单个存储单元内产生多种电流状态，适合 AI 计算所需的权重数据。相比传统 3D NAND 的电荷俘获结构，铁电材料在外部电场消失后极化仍保持，研究发表于 IEEE 论文。